CGHV27030S

MACOM
941-CGHV27030S
CGHV27030S

メーカ：

詳細：
GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

データシート:
ECADモデル:
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¥-
合計 額:
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パッケージング:
完全リール（250の倍数で注文）
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥13,014.4 ¥13,014
¥10,291.2 ¥102,912
¥8,648 ¥864,800
完全リール（250の倍数で注文）
¥8,648 ¥2,162,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
MACOM
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-12
N-Channel
150 V
3.6 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
12 W
ブランド: MACOM
構成: Single
ゲイン: 21 dB
最大ドレイン ゲート電圧: 50 V
最高動作周波数: 2.7 GHz
最小動作周波数: 0 Hz
水分感度: Yes
出力電力: 30 W
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品タイプ: GaN FETs
工場パックの数量: 250
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トランジスタ タイプ: GaN HEMT
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧: - 10 V, 2 V
単位重量: 282.130 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CGHV27030S GaN HEMT

Wolfspeed CGHV27030S 30W窒化ガリウム（GaN）高電子移動度モビリティトランジスタ（HEMT）は、広い帯域幅の機能ならびに高い効率性と高ゲインを実現しています。 DC～6.0GHzで動作するCGHV27030Sには、21dBゲイン、-36dBc ACLR、5W PAVEで32%の効率性が備わっています。 このトランジスタには、28Vまたは50Vレールのいずれかで動作する能力があります。 また、CGHV27030Sは、高度なADPとDPD補正を適用することもできます。 CGHV27030S GaN HEMTは、28Vおよび50Vの両方で動作する700-960MHz、1200-1400MHz、1800-2200MHz、2500～2700MHz、3300-3700MHzテレコミュニケーションアプリケーションに最適です。また、このデバイスは、20-2500MHz戦術通信アプリケーション、Lバンドレーダー、Sバンドレーダーにも理想的です。
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