TP65H050G4YS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4YS
Price: 1563 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

227-TP65H050G4YS

メーカ番号：

TP65H050G4YS

メーカ：

Renesas Electronics

詳細：

GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

データシート:

TP65H050G4YS データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Renesas Electronics
製品カテゴリー:	GaN FET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	35 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	60 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.8 V
Qg - ゲート電荷:	16 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	132 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	SuperGaN
ブランド:	Renesas Electronics
構成:	Cascode
下降時間:	8 ns
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	GaN FETs
上昇時間:	5 ns
シリーズ:	Gen IV SuperGaN
工場パックの数量:	1200
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	GaN
トランジスタタイプ:	GaN HEMT
標準電源切断遅延時間:	40 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	40 ns

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ECCN:: EAR99

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN^®FETは50mΩ窒化ガリウム（GaN）ノーマリオフデバイスで、4リードTO-247パッケージで提供されます。高度エピと製造可能性を単純化する特許取得済の設計技術を採用したGen IVプラットフォームを使用しています。TP65H050G4YS 650V FETは、最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFETを組み合わせ、優れた信頼性と性能を実現しています。このSuperGaN FETは、ゲート電荷、出力容量、クロスオーバー損失、および逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率を向上させます。一般的なアプリケーションには、データ通信、幅広い産業、PVインバータ、サーボモータなどがあります。

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.