NXH008T120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH008T120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H008T120M3F2PTHG
Price: 25607 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-H008T120M3F2PTHG

メーカ番号：

NXH008T120M3F2PTHG

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFETモジュール 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

データシート:

NXH008T120M3F2PTHG データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Press Fit
パッケージ/ケース:	PIM-29
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	129 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	8.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.8 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	371 W
シリーズ:	NXH008T120M3F2PTHG
パッケージ化:	Tray
ブランド:	onsemi
下降時間:	15 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	20.6 ns
工場パックの数量:	20
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	EliteSiC
標準電源切断遅延時間:	137 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	41.5 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	4.8 V

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データシート

NXH008T120M3F2PTHG データシート

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 韓国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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