SQ4946CEY-T1_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQ4946CEY-T1_GE3
SQ4946CEY-T1_GE3

メーカ:

詳細:
MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

ECADモデル:
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在庫: 20,410

在庫:
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工場リードタイム:
3 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(2500の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥244.8 ¥245
¥154.6 ¥1,546
¥103 ¥10,300
¥80.8 ¥40,400
¥73.8 ¥73,800
完全リール(2500の倍数で注文)
¥65.9 ¥164,750
¥61.9 ¥309,500
¥57.8 ¥1,445,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
7 A
82.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
14.3 nC
- 55 C
+ 175 C
4 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay / Siliconix
下降時間: 3 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 15 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 4 ns
シリーズ: SQ
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: TrenchFET Power MOSFET
標準電源切断遅延時間: 17 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8 ns
単位重量: 750 mg
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SQ車載用パワーMOSFET

Vishay / SiliconixのSQ車載用パワーMOSFETは、AEC-Q101に準拠し、自動車業界用に最適化された特別なプロセス設計で製造されています。低オン抵抗のNチャネルおよびPチャネルTrenchFET®技術と低熱抵抗を特徴としています。SQ MOSFETは、設計の柔軟性に向け、多種多様なパッケージで提供されます。パッケージには、TO-252、TO-262、TO-263、PowerPAK® SO-8、PowerPAK 8x8L、PowerPAK SO-8L、D2PAK(TO-263)、DPAK、PowerPAK 1212-8W、および省スペース・小型アウトラインオプションがあります。また、NチャネルとPチャネルのコパッケージなど、幅広い極性オプションも利用できます。Vishay / Siliconix SQ車載用パワーMOSFETは、NチャネルおよびPチャネル・コパッケージを含む幅広い極性オプションで提供されます。

48V DC/DC コンバータ

Vishay 48V DC/DCコンバータは、12Vバッテリ負荷を維持する必要がある製品に使用されている一方で、48Vバッテリは車両に使用されています。これらのコンバーター は48V〜12Vを下げることができるため、コンバーターは将来の自動車にとって重要なアプリケーションです。ure cars.多相結合および非結合インダクタのようなこれらのデバイスを使用して、さまざまなトポロジが可能になります。ビシェイ (Vishay) は、MOSFET、ダイオード、抵抗器、コンデンサ、インダクタなどの標準デバイスからカスタマイズされた磁気ソリューションまで、幅広い製品ラインアップを提供しています。

SQ4946CEY車載用デュアルNチャンネルMOSFET

Vishay / Siliconix SQ4946CEY車載用デュアルNチャンネルMOSFETには、60VDSドレイン-ソース電圧、±100nAゲート-ソース間漏れ、865pF最大入力容量が備わっています。このMOSFETは、TrenchFET®パワーが特徴で、車載アプリケーションに最適です。Vishay / Siliconix SQ4946CEY車載用デュアルNチャンネルMOSFETは、AEC-Q101の認定を取得しており、RgならびにUIS試験を100%実施済みで、RoHSに準拠しておりハロゲンフリーです。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.