結果: 3
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 500V 20A N-CH MOSFET
データシート
6,742在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 210 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 500V 20A N-CH MOSFET
データシート
946在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 500V 20A N-CH MOSFET
データシート
1,369在庫
2,500予想2026/06/04
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 105 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube