STO33N60M6

STMicroelectronics
511-STO33N60M6
STO33N60M6

メーカ:

詳細:
MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET

ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-LL-8
N-Channel
1 Channel
600 V
25 A
125 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
33.4 nC
- 55 C
+ 150 C
230 W
Enhancement
MDmesh
Reel
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 7.5 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 33 ns
シリーズ: MDmesh M6
工場パックの数量: 1800
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 38.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 19.5 ns
単位重量: 76 mg
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STO65N60DM6パワーMOSFET

STMicroelectronics STO65N60DM6パワーMOSFETは、MDmesh DM6高速リカバリダイオードシリーズの1つで、超低リカバリ充電(Qrr)、リカバリ時間(trr)、RDS(on)での優れた改善が組み合わされています。STO65N60DM6は、別の駆動ソースピンを使用したスイッチング性能に優れています。この性能によってSTM STO65N60DM6パワーMOSFETは、もっとも要求が厳しい高効率ブリッジトポロジおよびZVSフェーズシフトコンバータに最適です。

STO67N60x MDmeshパワーMOSFET

STMicroelectronics STO67N60x MDmeshパワーMOSFETは、ツェナー保護およびアバランシェ試験が100%完了しているNチャンネルパワーMOSFETで、スイッチング・アプリケーションに適しています。これらのパワーMOSFETは、スイッチング性能に優れており、ゲート入力抵抗が小さく、旧世代に比べて領域のRDS(on)が低いことが特徴です。STO67N60DM6パワーMOSFETは、高速回復ボディダイオードで、非常に低い回復電荷(Qrr)およびリカバリ時間(trr)と最も効果的なスイッチング動作が組み合わされています。STO67N60M6パワーMOSFETは、LLCコンバータとブーストPFCコンバータでの使用に最適です。

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFETには、低ゲート電荷(Qg)と最適化された容量特性が組み合わされており、電力変換アプリケーションにおける新しいトポロジでの高い効率性を目的としています。スーパージャンクションMDmesh™ M6シリーズには、効率性が極めて高い性能が備わっており、電力密度の増大と低ゲート電荷がもたらされており、高周波数を目的としています。M6シリーズMOSFETには、600~700Vの破壊電圧範囲が備わっています。また、TOリードレス (TO-LL) パッケージ・ソリューションを始めとする広範なパッケージ・オプションがあり、効率的な熱管理が可能になります。このデバイスには、広範な動作電圧が備わっており、充電器、アダプタ、シルバー・ボックス・モジュール、LED照明、テレコム、サーバ、ソーラーを始めとする工業アプリケーションを対象としています。