NTHL022N120M3Sシリコンカーバイド（SiC）MOSFET

onsemi NTHL022N120M3Sシリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、1200V M3S平面SiC MOSFETのファミリで、高速スイッチング・アプリケーション用に最適化されています。Onsemi NTHL022N120M3Sは、負のゲート電圧ドライブで信頼性の高い作動を行うプレーナ技術が特徴で、ゲートでスパイクをオフにします。MOSFETには、18Vゲートドライブで駆動する場合に最適な性能がありますが、15Vゲートドライブでも良好に作動します。