NVXK2TR80WDT

onsemi
863-NVXK2TR80WDT
NVXK2TR80WDT

メーカ：

詳細：
MOSFETモジュール APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

ライフサイクル:
Mouser 初
データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFETモジュール
RoHS:  
SiC
Through Hole
APM-32
N-Channel
4 Channel
1.2 kV
20 A
116 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
- 40 C
+ 175 C
82 W
NVXK2TR80WDT
Tube
ブランド: onsemi
構成: Dual Half-Bridge
下降時間: 9 ns
高さ: 5.8 mm
長さ: 44.2 mm
製品タイプ: MOSFET Modules
上昇時間: 12 ns
工場パックの数量: 60
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
トレードネーム: EliteSiC
タイプ: Half-Bridge
ターンオン時の標準遅延時間: 12 ns
幅: 29 mm
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) モジュール

onsemi NVXK2TR80WDTシリコンカーバイド(SiC) モジュールは、1,200V、80mΩ 、20Aデュアル・ハーフブリッジ・エリシカル・パワー・モジュールで、APM32デュアル・インライン・パッケージ(DIP) に格納されています。このSiCモジュールは、全モジュール抵抗を低く抑えるようにコンパクトに設計されています。NVXK2TR80WDTパワーモジュールは、AEC-Q101およびAQG324に基づいて、 車載規格に適合しています。このパワーモジュールは、無鉛、RoHS、UL94V-0に準拠しています。NVXK2TR80WDT EliteSiC MOSFETモジュールは、xEVアプリケーションのHV DC/DCおよびオンボード充電器での使用に最適です。

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