ThunderFET® 150-250V MOSFET

Vishay Siliconix ThunderFET® 150-250V MOSFETは、Nチャンネル極性タイプに150V、200V、250Vの電圧Vdsがあります。 現在あるパッケージの種類は、TO-252、PowerPAK SO-8、TO-263、TO-220ABです。SIR692DP 250Vフィギュア・オブ・メリット（FOM）は、前世代より42%低くなっています。 SIR692DPは、電力損失に関連する伝導を減少させ、さまざまなアプリケーションで電力密度を向上させます。 PowerPAK SO-8パッケージは、最高クラスのRds、Qg、 Qoss を、パッケージの抵抗と寄生インダクタンスを最小限に抑えることで達成しています。
詳細

結果: 5
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
データシート
3,435在庫
最低： 1
複数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 29 A 28.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 69.5 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263
データシート
3,266在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 64 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
データシート
製品についてのコメント
2,477在庫
4,000予想2026/07/02
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 37.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 65.2 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
データシート
378在庫
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 64 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
データシート
22在庫
21,000取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 250 V 24.2 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel