TrenchFET Gen VパワーMOSFET (VDS搭載）

Vishay/Siliconix TrenchFET® Gen VパワーMOSFETは、非常に低いRDS x Qg 性能指数(FOM) で電力変換効率を向上させます。Gen VパワーMOSFETには、80V、100V、150Vドレイン・ソース破壊電圧オプションがあります。Gen VパワーMOSFETは、PowerPAK® 1212-8SHまたはPowerPAK SO-8シングルパッケージでご用意があります。

結果: 29
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
Vishay / Siliconix MOSFET PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A
データシート
20,800予想2027/06/17
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 4.7 m 10V 6.8 m 4.5V
データシート
15,000取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 24.7A
データシート
8,081取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 67.4 A 3.25 mOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 47.1A
データシート
5,676予想2027/08/19
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8S N-Channel 1 Channel 30 V 162 A 1.2 mOhms - 12 V, 16 V 4.2 V 65 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel