TrenchFET Gen VパワーMOSFET (VDS搭載）

Vishay/Siliconix TrenchFET® Gen VパワーMOSFETは、非常に低いRDS x Qg 性能指数(FOM) で電力変換効率を向上させます。Gen VパワーMOSFETには、80V、100V、150Vドレイン・ソース破壊電圧オプションがあります。Gen VパワーMOSFETは、PowerPAK® 1212-8SHまたはPowerPAK SO-8シングルパッケージでご用意があります。

結果: 29
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
データシート
1,383在庫
3,000予想2026/02/19
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SC-70W-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9 A - 20 V, 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 175 C 13.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET SOT669 100V 126A N-CH MOSFET
データシート
943在庫
12,000予想2026/02/19
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 54 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A
データシート
21,000予想2027/07/26
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 24.7A
データシート
11,505取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 67.4 A 3.25 mOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel