DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFETs were designed to minimize the on-state resistance RDS(on) and yet maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFETs from Diodes Incorporated feature low On-Resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speed, and low input/output leakage.

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 パッケージ化
Diodes Incorporated MOSFET P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet 67,942在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 820 mA 750 mOhms - 6 V, 6 V 500 mV 622.4 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair 96,644在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 1.066 A, 845 mA 450 mOhms, 750 mOhms - 6 V, 6 V 500 mV 736.6 nC, 622.4 pC - 55 C + 150 C 330 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 17,952在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 820 mA 1.5 Ohms - 6 V, 6 V 1 V 622.4 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel