600V/650V EシリーズPowerPAK® SO-8L MOSFET

Vishay 600 V/650V EシリーズPowerPAK® SO-8L MOSFETには、向上した信頼性および照明、産業、テレコム、コンピューティング、民生用アプリケーション向けに減少されたパッケージインダクタンスが備わっています。 Vishayのスーパージャンクション技術で構築されたこれらのパワーMOSFETは、10Vで最低0.52Ωの最大オン抵抗、最低17nCの超低ゲート電荷、l低ゲート電荷回オン抵抗、電力変換アプリケーションにおけるMOSFETの性能指数のキー数値（FOM）が特徴です。
詳細

結果: 3
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
Vishay Semiconductors MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
データシート
5,717在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 5.6 A 755 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 16 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
データシート
2,502在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 650 V 7.9 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
データシート
3,000在庫あり
納期・詳細を要確認
最低： 3,000
複数： 3,000
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel