PMDXBx 20V Trench MOSFET

NXP PMDXBx 20V Trench MOSFETは、拡張モードの電界効果(FET)トランジスタで、リードレスの超小型SOT1216表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージで構成されています。このデバイスはTrench MOSFET技術を採用しており、優れた熱伝導用の露出ドレインパッドがあり、>1kV HBM ESD保護を実現し、470mΩのドレインソースオンステート抵抗を提供します。PMDXBx MOSFETは、デュアルNチャンネルとPチャンネルバージョンでご用意があります。MOSFETは、リレードライバ、高速ラインドライバ、ローサイド負荷スイッチ、スイッチング回路に理想的です。
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結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
Nexperia MOSFET PMDXB950UPEL/SOT1216/DFN1010B- 4,987在庫
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Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 5 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMDXB600UNE/SOT1216/DFN1010B-6
24,993予想2027/02/08
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Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 20 V 600 mA 3 Ohms, 3 Ohms - 8 V, 8 V 450 mV 400 pC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1216 2NCH 30V .59A
140,000予想2027/02/08
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Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 30 V 590 mA 670 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 1.05 nC - 55 C + 150 C 4.03 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMDXB1200UPE/SOT1216/DFN1010B-
15,140予想2027/02/08
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Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 30 V 410 mA 1.4 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 410 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1216 2NCH 20V .6A
9,200予想2027/02/08
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Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 20 V 600 mA 470 mOhms, 470 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 700 pC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMDXB950UPE/SOT1216/DFN1010B-6
5,000予想2027/02/08
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Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 5 Ohms - 8 V, 8 V 450 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel