NVMFD5877NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFD5877NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FD5877NLWFT1G-UM
Price: 307 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-FD5877NLWFT1G-UM

メーカ番号：

NVMFD5877NLWFT1G-UM

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

ライフサイクル:

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NVMFD5877NLWFT1G-UM データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	17 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	39 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	11 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	23 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Dual
下降時間:	3.9 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	7 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	15.8 ns
シリーズ:	NVMFD5877NL
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	11.8 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	8.1 ns

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データシート

NVMFD5877NLWFT1G-UM データシート

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: 台湾

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NVMFD5877NLデュアルNチャネルMOSFET

onsemi NVMFD5877NL デュアルNチャネルMOSFETは、高い熱性能を含め、コンパクトかつ高効率な設計向けに設計されています。このNチャネルMOSFETは、光学検査性を向上させるためのウェッタブル・フランク（濡れ性側面）オプションを備えています。NVMFD5877NL MOSFETは、導通損失を最小限に抑える低オン抵抗と、ドライバ損失を最小限に抑える低容量を特徴としています。このNチャネルMOSFETは、AEC-Q101認定を取得しており、PPAP対応です。NVMFD5877NL MOSFETは、ソレノイドドライバやローサイド／ハイサイドドライバなどの自動車用途に適しています。