SUM40014M-GE3

Vishay / Siliconix
78-SUM40014M-GE3
SUM40014M-GE3

メーカ:

詳細:
MOSFET TO263 N-CH 40V 200A

ECADモデル:
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¥710.4 ¥710
¥470.4 ¥4,704
¥332.8 ¥33,280
¥331.2 ¥165,600
完全リール(800の倍数で注文)
¥276.8 ¥221,440
¥260.8 ¥625,920
¥249.6 ¥1,198,080

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
990 uOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
182 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
ThunderFET
Reel
Cut Tape
ブランド: Vishay / Siliconix
下降時間: 35 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 140 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 10 ns
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: ThunderFET Power MOSFET
標準電源切断遅延時間: 100 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 20 ns
単位重量: 1.600 g
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SUM40014M Nチャンネル40V MOSFET

Vishay / Siliconix SUM40014M Nチャンネル40V MOSFETは、40VDSドレイン-ソース間電圧を実現しており、ThunderFET®パワーをともなうシングル構成D2PAKパッケージに収められています。MOSFETには、リードフリーでRoHSに準拠した設計が活用されており、RgおよびUIS試験を100%実施済みです。Vishay / Siliconix SUM40014M Nチャンネル40V MOSFETは、DC/DCコンバータ、バッテリマネジメント・アプリケーション、電動工具、モーター駆動スイッチに最適です。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.