結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 製品 構成 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - エミッタ飽和電圧 25 Cでのコレクターの直流 ゲート - エミッタ リーク電流 Pd - 電力損失 最低動作温度 最高動作温度
Microchip Technology APTGX300A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT モジュール PM-IGBT-TFS-DP3
10予想2027/01/25
最低: 1
複数: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT モジュール PM-IGBT-TFS-DP3
10予想2027/01/25
最低: 1
複数: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT モジュール PM-IGBT-TFS-DP3
10予想2027/01/25
最低: 1
複数: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT モジュール PM-IGBT-TFS-DP3
10予想2027/01/25
最低: 1
複数: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT モジュール PM-IGBT-TFS-DP3
10予想2027/01/25
最低: 1
複数: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX300A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT モジュール PM-IGBT-TFS-DP3
10予想2027/01/25
最低: 1
複数: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C