LMG342xR030 GaN電界効果トランジスタ(FET)

Texas Instruments LMG342xR030 GaN電界効果トランジスタ(FET)は、ドライバと保護機能を内蔵しており、設計者はパワーエレクトロニクスシステムにおいて新たな電力密度と効率レベルを達成することができます。

結果: 7
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 製品 タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース ドライバ数 出力数 出力電流 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 構成 上昇時間 下降時間 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Texas Instruments ゲートドライバ 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZR 667在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

Driver ICs - Various Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 50 mA, 1 A 7.5 V 18 V Inverting, Non-Inverting 4 ns 21 ns - 40 C + 125 C LMG3422R030 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments ゲートドライバ 600V 30mohm GaN FET with integrated driv 231在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

GaN-on-Si FET with Integrated Gate Drivers Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 7.5 V 18 V Non-Inverting - 40 C + 125 C LMG3426R030 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments ゲートドライバ 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3425R030RQZR 371在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

Driver ICs - Various High-Side, Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 7.5 V 18 V Inverting, Non-Inverting 2.5 ns 21 ns - 40 C + 125 C LMG3425R030 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments ゲートドライバ 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZT 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

Isolated Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 3 Output 1.2 A 7.5 V 18 V Non-Inverting 4 ns 21 ns - 40 C + 150 C LMG3422R030 Reel
Texas Instruments ゲートドライバ 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3425R030RQZT 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

Driver ICs - Various High-Side, Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 7.5 V 18 V Inverting, Non-Inverting 2.5 ns 21 ns - 40 C + 125 C LMG3425R030 Reel
Texas Instruments ゲートドライバ 600V 30mohm GaN FET with integrated driv 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000
Gate Drivers Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 50 mA, 1 A 7.5 V 18 V Non-Inverting 4 ns 21 ns - 40 C + 125 C LMG3427R030 Reel
Texas Instruments ゲートドライバ 600V 30mohm GaN FET with integrated driv 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000
いいえ
GaN-on-Si FET with Integrated Gate Drivers Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 7.5 V 18 V Non-Inverting - 40 C + 125 C LMG3426R030 Reel