NCV8406DD1CR2G

onsemi
863-NCV8406DD1CR2G
NCV8406DD1CR2G

メーカ：

詳細：
MOSFET AUTOMOTIVE SMARTFET

ライフサイクル:
新製品:
このメーカーの新製品
データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
onsemi NCV8406DD1CR2Gの詳細を読む

在庫状況

在庫：
0

この製品は入荷待ちとして購入することができます。

取寄中:
2,475
予想2026/06/25
工場リードタイム：
17
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥214.3 ¥214
¥141.2 ¥1,412
¥117.3 ¥11,730
¥112.6 ¥56,300
¥110.6 ¥110,600
完全リール（2500の倍数で注文）
¥103.8 ¥259,500

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
210 mOhms
- 14 V, 14 V
2 V
- 40 C
+ 150 C
1.2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Dual
下降時間: 692 ns
水分感度: Yes
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 486 ns
シリーズ: NCV8406DD1CR2G
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 2-Channel
標準電源切断遅延時間: 1600 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 127 ns
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
チェコ共和国
組立原産国:
フィリピン
拡散国:
チェコ共和国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NCV8406DDデュアル自己保護低圧側ドライバ

Onsemi NCV8406DDデュアル自己保護低圧側ドライバは、 温度制限および電流制限を備えたデュアル保護低圧側スマートディスクリートデバイスです。保護機能には、過電流、過温度、ESD、過電圧保護用の統合ドレイン-ゲート間クランピングがあります。このデバイスには保護が備わっており、過酷な自動車環境に適しています。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。