MRF1K50HR5

NXP Semiconductors
841-MRF1K50HR5
MRF1K50HR5

メーカ:

詳細:
RF MOSFETトランジスタ Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

ECADモデル:
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¥-
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥71,497.6 ¥71,498
¥61,926.4 ¥619,264
¥59,537.6 ¥1,488,440
完全リール(50の倍数で注文)
¥58,096 ¥2,904,800
100 見積り
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
NXP
製品カテゴリー: RF MOSFETトランジスタ
RoHS:  
N-Channel
Si
36 A
135 V
1.8 MHz to 500 MHz
23.7 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230H-4S
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: NXP Semiconductors
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 33.5 S
チャンネル数: 2 Channel
Pd - 電力損失: 1.667 kW
製品タイプ: RF MOSFET Transistors
シリーズ: MRF1K50H
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: MOSFETs
タイプ: RF Power MOSFET
Vgs - ゲート-ソース間電圧: + 10 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: 2.2 V
別の部品番号: 935313284178
単位重量: 0.001 mg
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MRF1K50H 1500W RFパワートランジスタ

NXP MRF1K50H 1500W RFパワートランジスタには、優れた耐久性と熱性能を持つ最高のRF出力電力が組み合わされています。このトランジスタは、50Vで1.50 kW CWを供給するように、高電力RFアンプでのトランジスタの数を減少させるように設計されています。MRF1K50Hには、1.8~500MHzを使用した広い周波数範囲が可能になる比類のない入力と出力設計です。アプリケーションには、粒子加速器、産業用溶接機、ラジオ、VHFテレビ放送送信機、アマチュア無線用リニアアンプを対象としたレーザーおよびプラズマ源があります。
詳細