FGH50T65UPD

onsemi
512-FGH50T65UPD
FGH50T65UPD

メーカ：

詳細：
IGBT 650 V 100 A 240 W

ライフサイクル:
NRND:
新デザインには推奨しません。
データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
onsemi FGH50T65UPDの詳細を読む

在庫: 81

在庫：
81 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
15 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,265.7 ¥1,266
¥732.5 ¥7,325
¥657.8 ¥78,936
¥649.5 ¥331,245
¥612.9 ¥625,158
¥611.2 ¥1,540,224

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
100 A
340 W
- 55 C
+ 175 C
FGH50T65UPD
Tube
ブランド: onsemi
ゲート - エミッタ リーク電流: 400 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 6.390 g
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
チェコ共和国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

FGAFx0N60 Field Stop IGBTs

onsemi FGAFx0N60 650V Field Stop IGBTs use a novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. onsemi FGAFx0N60 IGBTs offer the optimum performance for solar inverters, UPS, welder, and PFC applications that require low conduction and switching losses.

FGHx0T65 650VフィールドストップIGBT

onsemi FGHx0T65 650VフィールドストップIGBTは、革新的なフィールドストップトレンチIGBT技術を採用しています。これらのIGBTには、最適な性能が備わっています。FGHx0T65 IGBTは、簡単な並列動作、大電流能力、高入力インピーダンス、より厳しいパラメータ分布のための正の温度係数が特徴です。代表的なアプリケーションには、低誘導およびスイッチング損失が必須のソーラーインバータ、UPS、溶接機、デジタル電源アプリケーションがあります。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。