650V & 1200V第3世代炭化ケイ素MOSFET

東芝650Vおよび1200V第3世代炭化ケイ素MOSFETは、400Vや800VなどのAC 入力 AC-DC電源などのハイパワー産業用アプリケーション、太陽光発電（PV）インバータ、無停電電源装置（UPS）用の双方向 DC-DCコンバータ用に設計されています。 SiCテクノロジーにより消費電力の削減と電力密度の改善に多大な貢献をします。 またこのテクノロジーにより、高電圧、高速スイッチング、低いオン抵抗が可能になります。信頼性が高い設計で、入力容量が低く、共通のゲート-入力電荷があり、ドレイン-ソース間オン抵抗は15mΩと低くなっています。

結果: 24
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
Toshiba SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
データシート
2,500在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
データシート
2,480在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
データシート
2,493在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
データシート
2,500在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
データシート
31在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
データシート
49在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
データシート
142在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
データシート
67在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
データシート
35在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
データシート
111在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
データシート
50在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
データシート
52在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
データシート
202在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
データシート
36在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm
データシート
61在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
データシート
30在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
データシート
4在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
データシート
15在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
データシート
25在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
データシート
40在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
データシート
20予想2026/06/22
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
データシート
176予想2026/07/17
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement