結果: 7
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 パッケージ/ケース 取り付け様式 構成 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - エミッタ飽和電圧 最大ゲート エミッタ電圧 25 Cでのコレクターの直流 Pd - 電力損失 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化

onsemi IGBT 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 476在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube

onsemi IGBT 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 367在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube
onsemi IGBT 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching 465在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 70 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL40T120SWD Tube

onsemi IGBT IGBT - 650 V 40 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode 392在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBT 650V FS4 Trench IGBT 188在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi IGBT 650V/35A FAST IGBT FSII T 36在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 70 A 300 W - 55 C + 175 C NGTB35N65FL2 Tube

onsemi IGBT IGBT - 650 V 50 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
450予想2026/06/19
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube