RQ3P270BLFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3P270BLFRATCB
Price: 312 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

755-RQ3P270BLFRATCB

メーカ番号：

RQ3P270BLFRATCB

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET HSMT N CHAN 100V

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	HSMT-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	27 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	29 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	13.6 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	69 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	8.8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	7.3 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	15 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	36 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns

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