SiC660 60A VRPower®統合電力段

Vishay Semiconductors SiC660 60A VRPower®統合電力段は、同期バックアプリケーション用に設計された高周波統合電力段です。Vishay Semiconductors SiC660は、最小限のシャットダウン電流で高電流、効率性、電力密度を実現しています。Vishayのコンパクトな5mm x 5mm MLPパッケージに格納されており、位相あたり最大60Aの連続電流を供給する電圧レギュレータに対応しています。Vishayの高度なTrenchFET® 技術で構築された内部パワーMOSFETは、業界をリードする性能のためのスイッチング損失と導通損失を最小限に抑えます。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 製品 タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース ドライバ数 出力数 出力電流 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ
Vishay ゲートドライバ 60A POWER STAGE 19,017在庫
最低: 1
複数: 1

Driver ICs - Various Low-Side SMD/SMT MLP55-31L 1 Driver 1 Output 60 A 2.5 V 16 V - 40 C + 125 C SIC

Vishay ゲートドライバ 60A POWER STAGE 2,842在庫
最低: 1
複数: 1

Driver ICs - Various Low-Side SMD/SMT MLP55-31L 1 Driver 1 Output 60 A 2.5 V 16 V - 40 C + 125 C SIC