R60xxKNZ4パワーMOSFET

ROHM Semiconductor R60xxKNZ4パワーMOSFETは、スイッチングアプリケーション用に設計された600V・NチャネルMOSFETです。R60xxKNZ4は、オン状態抵抗を低く抑え素早いスイッチング速度を実現します。ROHM R60xxKNZ4パワーMOSFETは、簡単に並列接続できるTO-247パッケージでご用意があります。

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 30A N-CH MOSFET 1,700在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 24A N-CH MOSFET 1,162在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 35A N-CH MOSFET 600在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube