STPSC30G12 シリコンカーバイドパワーショットキーダイオード

STMicroelectronics  STPSC30G12 シリコンカーバイドパワーショットキーダイオードは、ロングリードのDO-247パッケージです。STMicroelectronics のSTPSC30G12は、シリコンカーバイド基板を使用して製造された超高性能 パワーショットキー整流器です。ワイドバンドギャップ材料の採用により、 1200V定格の低VFショットキーダイオード構造の設計が可能です。  ショットキー構造により、 ターンオフ時のリカバリーがなく、リンギングパターンも無視できるほどです。最小限の容量でターンオフする動作は、 温度に依存しません。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース 構成 If - 順電流(Forward Current) Vrrm - 繰返し逆電圧(Repetitive Reverse Voltage) Vf - 順電圧(Forward Voltage) Ifsm - 順方向サージ電流(Forward Surge Current) Ir - 逆電流(Reverse Current) 最低動作温度 最高動作温度 認証 パッケージ化
STMicroelectronics SIC SCHOTTKYダイオード Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode 525在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole DO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.35 V 250 A 15 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics SIC SCHOTTKYダイオード 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode 5在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole DO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.35 V 250 A 15 uA - 55 C + 175 C Tube