1200V E4MS ディスクリートSiC MOSFET

Wolfspeed 1200V E4MS ディスクリート炭化ケイ素(SiC)MOSFETは、オンボード車載アプリケーションで比類のない性能を発揮します。E4MSファミリは、オーバーシュートやリンギングを最小限に抑えながら高速スイッチングを可能にする、高速でソフトなボディダイオードを採用しています。これにより、エンジニアがアプリケーションで性能を調整・最適化するための設計の自由度が広がります。E4MSファミリは、E3Mファミリデバイスと比較してEon、ERR、Eoff損失を改善すると同時に、R DS(on)の低温度係数を維持します。このバランスのとれたアプローチによって幅広いオンボードトポロジにおいて、最大の性能と効率を実現します。

結果: 12
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4 在庫なし
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4 非在庫リードタイム 22 週間
最低: 800
複数: 800
リール: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4 在庫なし
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 274 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4 在庫なし
最低: 1
複数: 1

SMD/SMT TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 186 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4 非在庫リードタイム 22 週間
最低: 800
複数: 800
リール: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4 在庫なし
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101