700V CoolGaN™ G4パワートランジスタ

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4パワートランジスタは、高電流、高電圧耐性、高スイッチング周波数を実現する特性を持つ、GaN-on-Siベースのエンハンスメントモードパワートランジスタです。このGaNシステムは、大電流ダイと高い歩留まりを実現する特許取得済みのIsland Technology® セルレイアウトなど、業界をリードする先進技術を用いて革新を実現しています。これらの700V CoolGaNパワートランジスタを使用すると、パワースイッチングでの超電力密度設計と高システム効率が可能になります。GS-065パワートランジスタは、下面冷却PDFNパッケージに格納されています。これらのパワートランジスタには、非常に低い接合部対ケース熱抵抗が備わっており、要求の厳しい高電力アプリケーションに最適です。アプリケーションとしては、データセンターおよびコンピューティングソリューション、電源アダプタ、LED照明ドライバ、スイッチモード電源(SMPS)、ワイヤレス電力伝送、モータドライバなどが挙げられます。

結果: 7
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 チャネルモード
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS 297在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

SMD/SMT TOLL-11 N-Channel 1 Channel 700 V 40 A 58 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS 287在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS 88在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS 124在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 23 A 90 mOhms - 10 V, + 7 V 4.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
744予想2026/02/26
最低: 1
複数: 1
リール: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 4.6 A 455 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 800 pC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
249予想2026/06/08
最低: 1
複数: 1
リール: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS リードタイム 18 週間
最低: 1
複数: 1
リール: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement