結果: 7
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
チャネルモード
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
データシート
244在庫
最低： 1
複数： 1
: 250

SMD/SMT TOLL-11 N-Channel 1 Channel 700 V 40 A 58 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
データシート
24在庫
最低： 1
複数： 1
: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 4.6 A 455 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 800 pC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
データシート
165在庫
最低： 1
複数： 1
: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
データシート
88在庫
最低： 1
複数： 1
: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
データシート
65在庫
最低： 1
複数： 1
: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
データシート
83在庫
最低： 1
複数： 1
: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 23 A 90 mOhms - 10 V, + 7 V 4.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
データシート
非在庫リードタイム 18 週間
最低： 1
複数： 1
: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement