RGTV 650VフィールドストップトレンチIGBT

ROHM Semiconductor RGTV 650VフィールドストップトレンチIGBTは、コレクタ－エミッタ飽和電圧が低く、小型パッケージに収められています。RGTV IGBTは、高速スイッチング、低スイッチング損失、短絡耐久時間2μsが特徴です。ROHM RGTV 650VフィールドストップトレンチIGBTは、ソーラーインバータ、UPS、溶接、IH、PFCアプリケーションに最適です。

結果: 7
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
パッケージ/ケース
取り付け様式
構成
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値
コレクタ - エミッタ飽和電圧
最大ゲート エミッタ電圧
25 Cでのコレクターの直流
Pd - 電力損失
最低動作温度
最高動作温度
パッケージ化
ROHM Semiconductor IGBT 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
データシート
846在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
データシート
451在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 60A Field Stop Trench IGBT
データシート
439在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 30 V, 30 V 111 A 319 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
データシート
449在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
データシート
399在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
データシート
445在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
データシート
450在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube