QPD0005TR13

Qorvo
772-QPD0005TR13
QPD0005TR13

メーカ：

詳細：
GaN FET 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor

ECADモデル:
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メーカ 部品番号:
QPD0005SR
梱包:
Reel, Cut Tape
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1

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Qorvo QPD0005SR
Qorvo
GaN FET 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor
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製品属性 属性値 属性の選択
Qorvo
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
48 V
ブランド: Qorvo
ゲイン: 18.8 dB
最大ドレイン ゲート電圧: 48 V
最高動作周波数: 5 GHz
最小動作周波数: 2.5 GHz
水分感度: Yes
出力電力: 5 W
パッケージ化: Reel
製品タイプ: GaN FETs
シリーズ: QPD0005
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
別の部品番号: QPD0005 QPD0005SR
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選択した属性: 0

PCN

Product Catalogs

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コンプライアンスコード
USHTS:
8541497080
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
アメリカ
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

QPD0005 GaN RFトランジスタ

Qorvo QPD0005 GaN RFトランジスタは、シングルパスのディスクリートGaN on SiC高電子移動度トランジスタ（HEMT）で、プラスチックのオーバーモールドDFNパッケージに収められています。これらのRFトランジスタは、2.5GHz〜5GHzの周波数範囲で動作します。Qorvo QPD0005 GaN RFトランジスタは、48V動作で8.7WのPSAT を提供できる、シングルステージ非整合トランジスタです。これらのトランジスタは、4.5mm x 4.0mmパッケージに収められており、RoHSに準拠しています。アプリケーションには、WCDMA/LTE、マクロセル基地局、マイクロセル基地局、スモールセル、アクティブアンテナ、5G大規模MIMO、汎用アプリケーションなどがあります。

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