RH7E04BBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7E04BBJFRATCB
Price: 353 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-RH7E04BBJFRATCB

メーカ番号：

RH7E04BBJFRATCB

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET DFN8 P-CH 30V

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	¥153.9	¥15,390
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	¥115.8	¥115,800
完全リール（3000の倍数で注文）
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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-8
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	40 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	7.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 5 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	65 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	75 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	105 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	17 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	160 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	13 ns

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RH7E04BBJFRA Pch -30V, パワーMOSFET

ローム株式会社の RH7E04BBJFRA -30V PチャンネルパワーMOSFETは、-30Vドレイン・ソース間電圧（V_DSS）、およびドレイン電流±40A（I_D）定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101認定を取得しています。このMOSFETのドレイン・ソース間オン状態抵抗（R_DS(ON)）は、V_GS = -10V、I_D= -20Aで7.52mΩ（最大）、またはV_GS = -4.5V、I_D = -10Aで11.3mΩ（最大）です。全ゲート電荷（Q_g）は、V_DD = -15V、I_D = -10A、V_GS = -10Vで65.0nC（標準）です。ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRAは、先進ドライバ支援システム（ADAS）、情報、照明、ボディアプリケーションに最適です。