SIS176LDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIS176LDN-T1-GE3
SIS176LDN-T1-GE3

メーカ:

詳細:
MOSFET PPAK1212 N-CH 70V 12.9A

ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

在庫: 831

在庫:
831
すぐに出荷可能
取寄中:
12,000
予想2026/03/19
12,000
予想2027/01/14
工場リードタイム:
24
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥220.8 ¥221
¥141 ¥1,410
¥95.7 ¥9,570
¥76.5 ¥38,250
¥69.1 ¥69,100
完全リール(3000の倍数で注文)
¥59.8 ¥179,400
¥56.5 ¥339,000
¥53.9 ¥485,100
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK 1212-8
N-Channel
1 Channel
70 V
42.3 A
10.9 mOhms
- 12 V, 12 V
1.6 V
12.6 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay / Siliconix
構成: Single
下降時間: 6 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 60 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 6 ns
シリーズ: SIS
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 25 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 10 ns
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

POWERPAK®1212MOSFET

Vishay  POWERPAK® 1212 MOSFETは、スイッチングアプリケーションに最適で、約1mΩ のダイオン抵抗が特徴で、最大85Aまで対応可能です。Vishay POWERPAK 1212には、高性能ダイの劣化のリスクを軽減するパッケージング技術を導入しています。このパッケージには、コンパクトな設計での超低熱インピーダンスが備わっており、スペースに制約のあるアプリケーションに最適です。

SiS176LDN Nチャンネル70V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiS176LDN Nチャンネル70V (D-S) MOSFETには、TrenchFET Gen IVパワーMOSFETテクノロジーが活用されています。SiS176LDN MOSFETは、非常に低いRDS Qg 性能指数(FOM) が特徴で、最低レベルのRDS Qoss FOM向けに調整されています。Vishay/Siliconix SiS176LDN Nチャンネル70V (D-S) MOSFETは、同期整流、一次側スイッチ、DC/DCコンバータ、モータ駆動スイッチの各アプリケーションに最適です。