RD3S100AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3S100AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3S100AAFRATL
Price: 625 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-RD3S100AAFRATL

メーカ番号：

RD3S100AAFRATL

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

データシート:

RD3S100AAFRATL データシート

ECADモデル:

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在庫: 2,589

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	¥291.8	¥29,180
	¥247.8	¥123,900
	¥239.6	¥239,600
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥223.3	¥558,250

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-252-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	190 V
Id - 連続ドレイン電流:	10 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	182 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	52 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	85 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	TH
下降時間:	75 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	6 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	20 ns
シリーズ:	RD3
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	140 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns
別の部品番号:	RD3S100AAFRA
単位重量:	330 mg

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