U-MOSVIII MOSFET

Toshiba U-MOS8 MOSFETには、低ON抵抗および低漏れ電流が組み合わされており、薄型3.3mm x 3.3mm x 0.9mm TSON高度パッケージに収められています。電流定格範囲は43A〜100A、RDS(ON)(標準)3.5mΩ〜5.2mで、入力容量は1370pF〜2230pF(標準)です。

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Toshiba MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V 12,804在庫
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 34 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET 在庫なし
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 53 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 24 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W 在庫なし
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 30 V 43 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 24 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel