高速IGBT4パワーモジュール

Microchip Technology高速IGBT4パワーモジュールは、低電圧降下、小漏れ電流、低スイッチング損失が特徴です。これらのモジュールは、1200Vコレクタ-エミッタ間電圧(VCES)で動作し、非常に低い浮遊インダクタンス、簡単な駆動のためのKelvinエミッタ/ソース、拡張温度範囲を実現しています。IGBT4モジュールのメリットは、高効率の コンバータ、高周波動作で優れた性能を発揮すること、低背、接合部とヒートシンク間の熱抵抗が低いことです。これらのモジュールは、信頼性の高い パワーシステム、ACスイッチ、高効率 AC/DCおよびDC/ACコンバータ、モーター制御のようなアプリケーションに使用します。

結果: 7
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 製品 構成 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - エミッタ飽和電圧 25 Cでのコレクターの直流 ゲート - エミッタ リーク電流 Pd - 電力損失 最低動作温度 最高動作温度
Microchip Technology IGBT モジュール PM-IGBT-SBD-BL3 12在庫
最低: 1
複数: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT モジュール PM-IGBT-SBD-BL1 9在庫
最低: 1
複数: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT モジュール PM-IGBT-SBD-BL2 7在庫
最低: 1
複数: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT モジュール PM-IGBT-SBD-BL1 9在庫
最低: 1
複数: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT モジュール PM-IGBT-SBD-BL3 4在庫
最低: 1
複数: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT モジュール PM-IGBT-SBD-BL2 6在庫
最低: 1
複数: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT モジュール PM-IGBT-SBD-BL2
3予想2026/03/09
最低: 1
複数: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C