TP65H035G4YS 650V SuperGaN® FET
Renesas Electronics TP65H035G4YS 650V SuperGaN®電界効果トランジスタ（FET）は、4 リードTO-247パッケージで提供される 35mΩ窒化ガリウム（GaN）FETです。Renesas ElectronicsのGen IVプラットフォームを使用しており、高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFETを組み合わせ、素晴らしい信頼性と性能を実現しています。この第4世代SuperGaNプラットフォームは、製造性を簡素化するために、先進のエピ技術と特許取得済みの設計技術を活用しています。このプラットフォームはまた、ゲート電荷、クロスオーバー損失、出力容量、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率を向上させます。この4ピンTP65H035G4YS SuperGaNデバイスは、オリジナルの「デザイン・イン」オプションとして使用することも、1kW以上の電源をサポートする4ピンのシリコンおよびSiCソリューションのドロップイン置換品として使用することもできます。Renesas Electronics 650V SuperGaN FETの理想的なアプリケーションには、データ通信、産業用、PVインバータ、サーボモータなどがあります。
