FDC642P-F085PBK

onsemi
863-FDC642P-F085PBK
FDC642P-F085PBK

メーカ：

詳細：
MOSFET PMOS SSOT6 20V 65 MOHM

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
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¥-
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¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥79.9 ¥80
¥50.4 ¥504
¥40.6 ¥4,060
¥38.8 ¥19,400
¥37.8 ¥37,800
完全リール（3000の倍数で注文）
¥37 ¥111,000
¥35 ¥210,000

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SSOT-6
P-Channel
1 Channel
20 V
4 A
65 mOhms
8 V
1.5 V
6.9 nC
- 55 C
+ 150 C
1.2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: KR
原産国: PH
下降時間: 9.6 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 10 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 5.5 ns
シリーズ: FDC642P_F085
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 23.2 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 7.3 ns
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET

onsemi FDC642P-F085 小信号 MOSFETは、高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。このMOSFETは、6.9nC（代表値）の低ゲート電荷、-20Vのドレイン・ソース間電圧、±8Vのゲート・ソース間電圧、および1.2Wの電力損失を特徴としています。FDC642P-F085 小信号 MOSFETは、SUPERSOT™-6 パッケージで提供され、標準のSO-8 パッケージよりも72%小さいフットプリントと、厚さ1mmの薄型設計を採用しています。この小信号 MOSFETは、鉛フリー、RoHS準拠、AEC-Q101認定、PPAP対応の製品です。代表的なアプリケーションには、ロードスイッチ、バッテリ保護、電源管理などがあります。

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