CSD25310Q2 20V PチャンネルNexFETパワーMOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V PチャンネルNexFETパワーMOSFETは、19.9mΩ、–20V PチャンネルMOSFETで、最低レベルのオン抵抗とゲート電荷を供給するように設計されています。これは、可能な限り最小限の外径で行われ、超薄型になっており、優れた熱特性が得られます。CSD25310Q2低オン抵抗には、SON 2mm×2mmプラスチック・パッケージの非常に小さなフットプリントが結合されており、バッテリ駆動でスペースに制約のある動作に最適です。