FDB0250N807L

Name: onsemi FDB0250N807L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB0250N807L
Price: 462 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

512-FDB0250N807L

メーカ番号：

FDB0250N807L

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

データシート:

FDB0250N807L データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-263-7
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	240 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	6 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	143 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	214 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	PowerTrench
パッケージ化:	Reel
ブランド:	onsemi
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	39 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	113 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	64 ns
シリーズ:	FDB0250N807L
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	79 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	45 ns
単位重量:	1.600 g

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データシート

FDB0250N807L データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FDB0250N807L NチャンネルMOSFET

onsemi FDB0250N807L NチャンネルMOSFETは、高度なPowerTrench^®プロセスを、オン状態抵抗を最小限にするために使用します。このプロセスにより、産業用アプリケーション用に優れた耐久性と切替性能が維持されます。機能には、高速スイッチング速度、低ゲート電荷、高電力、電流処理能力が含まれます。FDB0250N807L MOSFETは、産業用モーター駆動、電源、バッテリ駆動のツール、負荷スイッチ、UPS、およびエネルギーインバータで使用されています。