GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル スイッチ構成 最小周波数 最高周波数 挿入損失 オフ絶縁 - 標準 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース 技術 シリーズ パッケージ化
Qorvo RF スイッチ IC 5-6000MHz SPDT IL .25dB Iso 39dB 3,548在庫
2,500予想2026/07/27
最低: 1
複数: 1
最大: 750
: 2,500

SPDT 5 MHz 6 GHz 0.46 dB 29 dB - 40 C + 105 C SMD/SMT LGA-9 Si QPC1022 Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo RF スイッチ IC 50W, 0.15-2.8GHz GaN SP3T 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 100
複数: 100
: 100

SP3T 150 MHz 2.8 GHz 0.3 dB to 1 dB 30 dB + 275 C SMD/SMT QFN-24 GaN QPC1006 Reel