NCV57001FDWR2G

onsemi
863-NCV57001FDWR2G
NCV57001FDWR2G

メーカ：

詳細：
ガルバニック絶縁型ゲートドライバ ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

データシート:
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¥-
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥705.6 ¥706
¥409.6 ¥4,096
¥406.4 ¥10,160
¥374.4 ¥37,440
完全リール（1000の倍数で注文）
¥372.8 ¥372,800
¥360 ¥720,000
¥358.4 ¥1,792,000

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: ガルバニック絶縁型ゲートドライバ
RoHS:  
NCV57001FDWR2G
SMD/SMT
- 40 C
+ 125 C
10 ns
15 ns
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Inverting, Non-Inverting
ドライバ数: 1 Driver
出力数: 1 Output
出力電流: 4 A
製品: IGBT, MOSFET Gate Drivers
製品タイプ: Galvanically Isolated Gate Drivers
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
供給電圧 - 最大: 5 V
供給電圧 - 最小: 3.3 V
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選択した属性: 0

データシート

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

EliteSiC MOSFETとのペアリングゲートドライバ

EV充電、エネルギー・ストレージ、無停電電力システム(UPS) 、太陽光発電のようなエネルギー・インフラのアプリケーションは、数百キロワット、メガワットまでシステム電力レベルを押し上げています。これらのハイパワー・アプリケーションは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、そしてインバータとBLDCに対して最大6つのスイッチまでの3相トポロジ負荷サイクルを採用しています。システム設計者は電力レベルとスイッチング速度に応じて、アプリケーション要件に最適なシリコン、IGBT、SiCなどのさまざまなスイッチ技術を検討します。

NCV57001F IGBTゲートドライバ

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