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IRFB4137PBF

Name: Infineon IRFB4137PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRFB4137PBF
Price: 696 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

942-IRFB4137PBF

メーカ番号：

IRFB4137PBF

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET 300V, 40A, 69 mOhm 83 nC Qg, TO-220AB

ライフサイクル:

製造中止:

メーカーにてモデル廃止予定のため、製造中止となります。

データシート:

IRFB4137PBF データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥378.2	¥3,782
	¥347.2	¥34,720
	¥298.3	¥149,150
	¥288.5	¥288,500

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	300 V
Id - 連続ドレイン電流:	38 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	56 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5 V
Qg - ゲート電荷:	125 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	341 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	MX
下降時間:	20 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	45 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	23 ns
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	34 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	18 ns
単位重量:	2 g

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選択した属性: 0

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Spice Model - IRFB4137PBF

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JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

IRFx4137 300V Power MOSFETs

Infineon IRFx4137 300V Power MOSFET features IR’s latest power MOSFET silicon that deliver benchmark on-state resistance (R_DS(on)) for a wide range of high efficiency industrial applications such 110-120V_AC line conditioners and 110-120V_AC power supplies, and DC to AC inverters including solar inverters and Uninterruptible Power Supplies (UPS). Infineon IRFx4137 Power MOSFET offers ultra-low R_DS(on) to improve system efficiency and may allow designers to reduce part count where multiple MOSFETs are used in parallel.