NDSH50120Cシリコンカーバイド(SiC)ダイオード
Onsemi NDSH50120Cシリコンカーバイド(SiC)ダイオード は、シリコンよりも優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供します。onsemi NDSH50120Cは、逆回復電流がなく、温度の影響を受けないスイッチング特性、および優れた熱性能が特徴です。システムのメリットとして、高レベルの効率性、早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減があります。
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Onsemi NDSH50120Cシリコンカーバイド(SiC)ダイオード は、シリコンよりも優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供します。onsemi NDSH50120Cは、逆回復電流がなく、温度の影響を受けないスイッチング特性、および優れた熱性能が特徴です。システムのメリットとして、高レベルの効率性、早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減があります。