NPN双極性デジタルトランジスタ

Onsemi NPN双極性デジタルトランジスタは、モノリシック・バイアス抵抗器ネットワークであり、単一の デバイスとその外付け抵抗器バイアス・ネットワークを置き換えるように設計されています。これらのバイアス抵抗器 トランジスタ(BRT) は、直列ベース抵抗器 (22kΩ) とベース‐エミッタ抵抗器 (47kΩ) の2つの抵抗器で構成されています。BRTは、個々の部品を排除し、単一のデバイスに統合します。この BRT は AEC-Q101 認定 を受け、PPAP に対応します。BRTは、鉛およびハロゲン/BFRフリー、RoHS準拠です。代表的なアプリケーションには、逆バッテリ保護、 DC/DCコンバータ出力ドライバ、高速スイッチングがあります。