IMZA65R083M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA65R083M1HXKS
IMZA65R083M1HXKSA1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

データシート:
ECADモデル:
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¥-
合計 額:
¥-
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,108.8 ¥1,109
¥849.6 ¥8,496
¥534.4 ¥53,440
¥489.6 ¥235,008

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
26 A
111 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
104 W
Enhancement
ブランド: Infineon Technologies
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
工場パックの数量: 240
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
別の部品番号: IMZA65R083M1H SP005423798
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

650V CoolSiC™ M1トレンチパワーMOSFET

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1トレンチパワーMOSFETは、シリコンカーバイドに固有の強い物理特性をさらに強化したことで、デバイスの性能、堅牢性、使い易さを改善する独自の特長を備えています。CoolSiC M1 MOSFETは、極めて高い動作時の信頼性と非常に低いアプリケーション損失を実現するように最適化された最先端トレンチ半導体プロセスを使って製造されています。高温や過酷環境下での動作に適しており、システムの複雑度およびコストの低減し、最高レベルの効率を実現できます。 

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET650Vは、炭化ケイ素の物理的強度とデバイスの性能、信頼性、使いやすさを向上させる機能を兼ね備えています。最先端のトレンチ半導体プロセスによって、CoolSiC™ MOSFETは、アプリケーションでの損失を最小限に抑え、動作時に最高の信頼性を実現します。CoolSiCは、高温で過酷な環境のアプリケーションでの使用に完璧に適しています。

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