TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7は、短絡機能と堅牢性を必要とする全産業用アプリケーション向けに、広範な1200Vポートフォリオを提供します。IGBT7S7は、効率的な短絡堅牢ディスクリートIGBTで、他より少なくとも10%低い飽和電圧を実現しています。

結果: 12
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
パッケージ/ケース
取り付け様式
構成
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値
コレクタ - エミッタ飽和電圧
最大ゲート エミッタ電圧
25 Cでのコレクターの直流
Pd - 電力損失
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
1,865在庫
最低： 1
複数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 21 A 106 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
データシート
1,594在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
データシート
348在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
データシート
313在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
データシート
1,125在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
データシート
650在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
データシート
436在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
2,550在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
データシート
251在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
354在庫
最低： 1
複数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
453在庫
最低： 1
複数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube

Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
380在庫
240予想2026/03/05
最低： 1
複数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube