750V NチャンネルSiC MOSFET

ローム株式会社(ROHM Semiconductor)750V NチャンネルSiC MOSFETは、スイッチング周波数をブーストできるため、コンデンサ、リアクタ、およびその他の必要なコンポーネントの量を削減できます。これらのSiC MOSFETは、TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA、TO-247-4Lパッケージでご用意があります。これらのデバイスは、静的ドレイン・ソース間オン状態抵抗 RDS(on) の標準値が13mΩ〜65mΩ、そして連続ドレイン電流(ID)およびソース電流(IS)(TC = 25°C)が22A〜120Aです。これらのROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETには、高耐電圧、低on抵抗、高速スイッチング特性が備わっており、SiC技術の独自の属性が活用されています。

結果: 23
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC 402在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC 2,008在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC 635在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC 375在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC 1,946在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 120A SIC 1,000在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 V 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 80A SIC 500在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 80 A 4.8 V 123 nC + 175 V 277 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 450在庫
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 430在庫
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive 700在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 750 V 38 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 26A SIC 784在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 26 A 4.8 V 48 nC + 175 V 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 61A SIC 100在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 61 A 4.8 V 94 nC + 175 V 214 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 37A SIC 8在庫
2,000予想2026/07/17
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 V 133 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC 1,460在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 100
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC 3,032在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 100
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC 615在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 98A N-CH SIC 344在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC 588在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC 321在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 46A SIC
2,000予想2026/07/16
最低: 1
複数: 1
最大: 100
リール: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 46 A 4.8 V 72 nC + 175 V 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
450予想2026/05/14
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
450予想2026/05/14
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 750V, 45mO, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
1,000予想2026/05/14
最低: 1
複数: 1
最大: 100
リール: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement