KDZVTRxツェナーダイオード

ROHM Semiconductor KDZVTRxツェナーダイオードは、小さなパワーモールドタイプのダイオードで、シリコンエピタキシャルプレーナ型構造と高い信頼性が特徴です。これらのツェナーダイオードには、1000mW電力散逸および150°C接合部温度が備わっています。KDZVTRxツェナーダイオードは、-55°C～150°C温度範囲で保管します。これらのツェナーダイオードは、電圧安定化での使用に最適で、エンボステープ・パッケージでご用意があります。