IXFH34N65X2W

Name: IXYS IXFH34N65X2W
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH34N65X2W
Price: 1385 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXFH34N65X2W

メーカ番号：

IXFH34N65X2W

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247

ライフサイクル:

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IXFH34N65X2W データシート (PDF)

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	¥1,008	¥10,080
	¥838.4	¥100,608
	¥747.2	¥381,072
	¥665.6	¥678,912

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	34 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	100 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5 V
Qg - ゲート電荷:	64 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	540 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	31 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	18 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	52 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	66 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	38 ns

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データシート

IXFH34N65X2W データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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