SGT65R65AL

STMicroelectronics
511-SGT65R65AL
SGT65R65AL

メーカ：

詳細：
GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥1,556.8 ¥1,557
¥1,076.8 ¥10,768
¥876.8 ¥87,680
¥870.4 ¥435,200
完全リール（3000の倍数で注文）
¥755.2 ¥2,265,600
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
650 V
25 A
65 mOhms
+ 6 V
1.8 V
5.4 nC
- 55 C
+ 150 C
305 W
ブランド: STMicroelectronics
水分感度: Yes
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品タイプ: GaN FETs
シリーズ: SGT
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN-on-Si
トランジスタ タイプ: E-Mode
タイプ: RF Power MOSFET
単位重量: 76 mg
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選択した属性: 0

データシート

Application Notes

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SGT65R65AL EモードPowerGaNトランジスタ

STMicroelectronics SGT65R65AL EモードPowerGaNトランジスタは、650V、25Aのトランジスタで、十分に確立されたパッケージ技術を組みあわせています。The STMicroelectronics SGT65R65ALは、極めて低い導通損失、大電流能力、超高速スイッチング動作をもたらします。このデバイスは、高電力密度と比類のない効率性能を実現できます。

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